Este documento discute un freno electromagnético de imán permanente para el proceso de semiconductores de módulos integrados huecos. Este freno electromagnético de imán permanente se caracteriza por imanes permanentes dispuestos en la parte inferior del estator y bobinas posicionadas en la parte media del estator. La fuerza de atracción se genera por la energía magnética del imán permanente, y para contrarrestar la fuerza de retención, se debe aplicar una corriente a las bobinas. En el caso de un freno electromagnético de imán permanente, la fuerza de retención máxima que se puede generar está fijada por el imán permanente insertado en la parte inferior, y aunque las condiciones de carga varíen, la fuerza de retención no puede ser alterada. Este estudio investigó un método para asegurar una fuerza de retención adicional al inducir pérdidas de hierro en el momento en que se requiere la fuerza de retención mediante mejoras en la estructura tanto del estator como del rotor de un freno electromagnético de imán permanente. Para validar la viabilidad de este estudio, se fabricaron prototipos de frenos de imán permanente y se realizaron pruebas en un dinamómetro.