Este estudio diseñó un circuito lógico de óxido metálico complementario (CMOS) resistente a la radiación (RH) basado en un n-MOSFET de compuerta variable (V-gate) RH que era resistente al efecto de dosis ionizante total (TID) y evaluó su tolerancia a la radiación. Entre los diferentes circuitos lógicos CMOS, se diseñaron compuertas NOT, NAND y NOR utilizando n-MOSFETs de V-gate mediante técnicas de transformación de diseño y p-MOSFETs estándar. Antes del diseño del proceso, predijimos el daño por radiación utilizando técnicas de modelado y simulación y validamos la tolerancia realizando pruebas de radiación reales después del diseño del proceso. Además, implementamos el diseño del proceso del circuito lógico CMOS en un proceso de bulk CMOS de 0.18 um. La prueba de radiación real aplicó una dosis de radiación acumulativa total de 25 kGy a 5 kGy por hora en una instalación de irradiación de rayos gamma de alto nivel. En consecuencia, la resistencia del circuito lógico CMOS de RH basado en el n-MOSFET de V-gate de RH al efecto de TID fue validada a través de experimentos.