En los últimos años, descubrir diversas vulnerabilidades en la cadena de suministro de IC ha generado preocupaciones de seguridad en los sistemas electrónicos. La investigación reciente ha propuesto numerosos mecanismos de ataque y defensa que involucran varios dispositivos nanoelectrónicos. Los dispositivos espintrónicos son una elección viable entre varios dispositivos nanoelectrónicos debido a su no volatilidad, facilidad de fabricación con un sustrato de silicio, aleatorización en el espacio y el tiempo, etc. Este trabajo utiliza una unión túnel magnética de doble capa de óxido con anisotropía magnética perpendicular en forma de pera (s-PMA DMTJ) para construir un mecanismo defensivo de bloqueo lógico potencial (LL). Las s-PMA DMTJs pueden ser utilizadas para soluciones novedosas más realistas de diseño de hardware seguro debido a su mayor estabilidad térmica y eficiencia de área en comparación con las MTJs tradicionales. El rango de diseño crítico y la viabilidad del sistema LL son investigados en este trabajo y comparados con otros diseños de MTJ de dos terminales utilizando varias técnicas de análisis de circuitos, como simulaciones de Monte Carlo, análisis de diagrama de ojo, medición transitoria y simulaciones paramétricas. Se logra una Distancia de Hamming del 25% y una cobertura de corrupción de salida del 100% en el circuito de prueba investigado.