Los inductores de espiral en chip con diseños de ancho de línea variable son conocidos por su alto factor de calidad (Q-factor). En este artículo, presentamos un enfoque analítico para facilitar el diseño de tales inductores. Basándonos en un análisis de las pérdidas óhmicas y de corriente de Foucault, primero derivamos una fórmula analítica para el cálculo de la resistencia del metal de un inductor de espiral. Al minimizar la resistencia del metal, luego se presenta una ecuación de diseño simple para encontrar el ancho de línea adecuado de cada bobina. Se investigan varios inductores de espiral CMOS de 0.18 m, a través de simulaciones electromagnéticas y estudios experimentales, para probar el cálculo de resistencia propuesto, así como el método de diseño de ancho de línea variable. Se encuentra que el cálculo de resistencia desarrollado puede modelar efectivamente la resistencia de la línea de metal de un inductor de espiral. Además, el inductor con un ancho de línea variable obtenido utilizando el método propuesto puede mejorar significativamente el factor Q con poco compromiso con la inductancia, lo que valida la capacidad de la técnica de diseño de ancho de línea variable desarrollada. Dado que el enfoque propuesto puede llevarse a cabo utilizando cálculos analíticos, puede ser un método de diseño más eficiente que los informados previamente en la literatura.