Análisis y diseño de un amplificador de bajo ruido de banda ancha con sesgo y parámetros parásitos derivados de redes de coincidencia de banda ancha de paso de banda
Autores: Zhao, Jinxiang; Wang, Feng; Yu, Hanchao; Zhang, Shengli; Wang, Kuisong; Liu, Chang; Wan, Jing; Liang, Xiaoxin; Yan, Yuepeng
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Análisis y diseño de un amplificador de bajo ruido de banda ancha con sesgo y parámetros parásitos derivados de redes de coincidencia de banda ancha de paso de banda
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Ancho de banda
Amplificador de bajo ruido
Receptores de banda ancha
Coincidencia de impedancia
Linealidad
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Este documento propone un amplificador de bajo ruido (LNA) de ancho de banda relativo (RBW) del 110% para receptores de banda ancha con ganancia plana, bajo ruido y alta linealidad. Los parámetros de polarización y parásitos derivados de las redes de coincidencia de banda ancha (BPDWB) y un cátodo con retroalimentaciones duales se introducen para un rendimiento de banda ancha. Los procedimientos de diseño de la red de coincidencia se demuestran y los resultados muestran que la respuesta en frecuencia de la red se ajusta bien a la impedancia objetivo desde 1 GHz hasta 3,5 GHz. La red BPDWB propuesta mejora la eficiencia del diseño y mejora la precisión de la predicción de la coincidencia de impedancia. El LNA propuesto en tecnología de transistor de alta movilidad electrónica pseudomórfica de 0,25 m de GaAs (GaAs pHEMT) logra un NF mínimo de 0,45 dB a 1,6 GHz donde el NF es inferior a 0,55 dB dentro de la banda de frecuencia de operación. Se logra una ganancia plana de 22,5-25,2 dB con la relación de onda estacionaria de voltaje de entrada (VSWR) por debajo de 1,22 y una VSWR de salida inferior a 2,5. Además, el LNA propuesto tiene buena linealidad donde el punto de intercepción de tercer orden de salida (OIP3) es mejor que +31,5 dBm, y el punto de compresión de 1 dB de salida (OP1dB) es mejor que +19 dBm en todo el rango de frecuencias.
Descripción
Este documento propone un amplificador de bajo ruido (LNA) de ancho de banda relativo (RBW) del 110% para receptores de banda ancha con ganancia plana, bajo ruido y alta linealidad. Los parámetros de polarización y parásitos derivados de las redes de coincidencia de banda ancha (BPDWB) y un cátodo con retroalimentaciones duales se introducen para un rendimiento de banda ancha. Los procedimientos de diseño de la red de coincidencia se demuestran y los resultados muestran que la respuesta en frecuencia de la red se ajusta bien a la impedancia objetivo desde 1 GHz hasta 3,5 GHz. La red BPDWB propuesta mejora la eficiencia del diseño y mejora la precisión de la predicción de la coincidencia de impedancia. El LNA propuesto en tecnología de transistor de alta movilidad electrónica pseudomórfica de 0,25 m de GaAs (GaAs pHEMT) logra un NF mínimo de 0,45 dB a 1,6 GHz donde el NF es inferior a 0,55 dB dentro de la banda de frecuencia de operación. Se logra una ganancia plana de 22,5-25,2 dB con la relación de onda estacionaria de voltaje de entrada (VSWR) por debajo de 1,22 y una VSWR de salida inferior a 2,5. Además, el LNA propuesto tiene buena linealidad donde el punto de intercepción de tercer orden de salida (OIP3) es mejor que +31,5 dBm, y el punto de compresión de 1 dB de salida (OP1dB) es mejor que +19 dBm en todo el rango de frecuencias.