Altamente estable diodos emisores de luz basados en CdSe/ZnS invertidos mediante técnica sin vacío ZTO como capa de transporte de electrones
Autores: Hussain, Sajid; Saeed, Fawad; Raza, Ahmad; Parveen, Abida; Asghar, Ali; Din, Nasrud; Chao, Zhang; Chen, Jing; Khan, Qasim; Lei, Wei
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Altamente estable diodos emisores de luz basados en CdSe/ZnS invertidos mediante técnica sin vacío ZTO como capa de transporte de electrones
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Puntos cuánticos
QD-LEDs
Capas
Estructura
Eficiencia
Dispositivo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
Los puntos cuánticos (QDs) de CdSe/ZnS han atraído gran interés de los investigadores debido a sus excelentes características fotofísicas y su aplicación en diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QD-LEDs).
Descripción
Los puntos cuánticos (QDs) de CdSe/ZnS han atraído gran interés de los investigadores debido a sus excelentes características fotofísicas y su aplicación en diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QD-LEDs).