Diseño y optimización de diodo JBS de 4H-SiC de trinchera separada de múltiples pasos de alto rendimiento
Autores: Li, Jinlan; Wu, Ziheng; Sheng, Huaren; Xu, Yan; Zhou, Liming
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Diseño y optimización de diodo JBS de 4H-SiC de trinchera separada de múltiples pasos de alto rendimiento
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Estructura MST
Caída de voltaje directo
Corriente de fuga
Voltaje de bloqueo
Simulaciones TCAD
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se propone y se investiga a fondo mediante simulaciones TCAD un nuevo diodo Schottky de barrera de unión (JBS) de SiC 4H de 3300 V/40 A con una estructura de zanja separada de múltiples pasos (MST).
Descripción
En este documento, se propone y se investiga a fondo mediante simulaciones TCAD un nuevo diodo Schottky de barrera de unión (JBS) de SiC 4H de 3300 V/40 A con una estructura de zanja separada de múltiples pasos (MST).