Las sustracciones teóricas y experimentales de la determinación de la temperatura del dispositivo utilizando la caracterización I-V aplicada al HEMT de AlGaN/GaN
Autores: Florovi, Martin; Ková, Jaroslav; Chvála, Ale; Jacquet, Jean-Claude; Delage, Sylvain Laurent
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Las sustracciones teóricas y experimentales de la determinación de la temperatura del dispositivo utilizando la caracterización I-V aplicada al HEMT de AlGaN/GaN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Análisis diferencial
Atributos eléctricos
Perfil de temperatura
Fenómenos de atrapamiento
Modelo eléctrico espacial analítico del dispositivo
Temperatura promedio
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 32
Citaciones: Sin citaciones
Se introduce un análisis diferencial de atributos eléctricos, incluido el perfil de temperatura y los fenómenos de atrapamiento, utilizando un modelo eléctrico espacial analítico del dispositivo.
Descripción
Se introduce un análisis diferencial de atributos eléctricos, incluido el perfil de temperatura y los fenómenos de atrapamiento, utilizando un modelo eléctrico espacial analítico del dispositivo.