Esta investigación se centra en las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas de las películas delgadas de SnO y ZnO, que se utilizan cada vez más en muchos dispositivos electrónicos, incluidos sensores de gas, diodos emisores de luz y celdas solares. Para las diversas aplicaciones, es esencial determinar con precisión la energía de la banda prohibida, ya que controla el comportamiento óptico y eléctrico del material. Sin embargo, no existe un único método para su determinación; más bien, diferentes aproximaciones dependen de la calidad cristalina y del nivel de dopaje, ya que estos modifican la estructura de bandas de energía del semiconductor. Con el objetivo de analizar los diversos enfoques, se prepararon películas de SnO y ZnO mediante pulverización sobre sustratos de vidrio no calentados y posteriormente se sometieron a un tratamiento térmico en N a varias temperaturas entre 250 grados C y 450 grados C. Estas muestras mostraron diferentes tamaños de cristalitos, coeficientes de absorción y concentraciones de portadores libres dependiendo del material y de la temperatura de recocido. El análisis de los resultados muestra que la expresión desarrollada para materiales amorfos subestima el valor de la banda prohibida, y el llamado método unificado tiende a sobreestimarlo, mientras que las ecuaciones para cristales perfectos o fuertemente dopados dan energías de banda prohibida más consistentes con el nivel de dopaje, independientemente de la calidad cristalina de las películas.