Para lograr con éxito la producción en masa en la memoria flash NAND, se ha propuesto un novedoso procedimiento de prueba para detectar y filtrar eléctricamente los defectos de agujeros de canal, como Not-Open, Bowing y Bending, que son únicos en la memoria flash NAND 3D de alta densidad. Dado que los defectos de agujeros de canal pueden provocar fallas catastróficas (es decir, mal funcionamiento de las operaciones básicas de NAND), detectar y filtrar los defectos de manera anticipada es uno de los principales desafíos para garantizar la calidad de los productos flash en el proceso de fabricación de NAND. Basándonos en el análisis de los mecanismos físicos y eléctricos del defecto de agujero de canal, hemos desarrollado un procedimiento de prueba de dos pasos que consta de metodologías de detección basadas en patrones y en estrés. Al optimizar los patrones de prueba según el tipo de defecto, la detección basada en patrones es efectiva para detectar el tipo de defectos de agujeros de canal. La detección basada en estrés se implementa cuidadosamente para detectar defectos de agujeros de canal ocultos sin degradar la fiabilidad de la memoria flash NAND. Además, hemos intentado optimizar aún más la versión actual de nuestra técnica para minimizar el tiempo de prueba adicional, lo que permite una mejora del 72.2% en el tiempo total de prueba. Los resultados experimentales utilizando 160 chips reales de memoria flash NAND 3D muestran que nuestra técnica puede detectar y filtrar eficientemente varios tipos de defectos de agujeros de canal con un tiempo de prueba mínimo y una degradación insignificante en la fiabilidad de la flash.