En este trabajo, se investiga un enfoque para habilitar hardware miniaturizado y de bajo voltaje para el monitoreo activo de la salud estructural (SHM) basado en ondas guiadas ultrasónicas. La técnica propuesta se basa en mediciones de parámetros S en lugar de pulsos en el dominio del tiempo y, por lo tanto, intercambia tiempos de medición más largos por voltajes de activación más bajos para mejorar la compatibilidad con la integración de chips de semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) densos. Para demostrar la viabilidad de este método, presentamos resultados que muestran la localización exitosa de defectos en estructuras de prueba de aluminio y polímero reforzado con fibra de carbono (CFRP) utilizando mediciones de parámetros S. Las mediciones de parámetros S se realizaron en analizadores de red vectorial de banco que activan los transductores piezoeléctricos a amplitudes de voltaje de salida tan bajas como 1.264 V.