Un transistor de efecto de campo en forma de aleta con compuerta ferroeléctrica (Fe-FinFET) se fabrica conectando un capacitor ferroeléctrico basado en Pb(ZrTi)O en el electrodo de la compuerta de FinFET. El capacitor ferroeléctrico muestra voltajes coercitivos de aproximadamente -1.5 V y 2.25 V. El cambio de voltaje umbral inducido por la polarización en el Fe-FinFET se investiga regulando el rango de barrido de voltaje de la compuerta. Cuando el voltaje de compuerta a fuente positivo máximo varía de 4 V a 2 V con un voltaje de inicio fijo de compuerta a fuente negativo, el voltaje umbral durante el barrido hacia atrás aumenta de aproximadamente -0.60 V a 1.04 V. En el caso de la variación del voltaje de inicio de compuerta a fuente negativo de -4 V a -0.5 V con un voltaje de compuerta a fuente positivo máximo fijo de 4 V, el voltaje umbral durante el barrido hacia adelante disminuye de 1.66 V a 0.87 V. Estos resultados pueden ser elucidados con los estados de dominio de polarización. Por último, se observa que el voltaje umbral aumenta/disminuye principalmente cuando el rango de barrido de voltaje de compuerta positivo/negativo es menor/mayor que el voltaje coercitivo positivo/negativo, respectivamente.