Este documento propone un modelo híbrido para describir la dependencia de la temperatura del fenómeno de la degradación dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB). TDDB puede ser expresado en términos de dos mecanismos de degradación representativos bien conocidos: el mecanismo termoquímico (TC) y el mecanismo de inyección de huecos de ánodo (AHI). Un solo modelo no tiene en cuenta la vida medida, debido a TDDB bajo diferentes condiciones de temperatura. Por lo tanto, en el modelo propuesto, se consideran simultáneamente dos mecanismos de degradación diferentes de manera apropiada para describir la generación de trampas en la capa dieléctrica. El modelo propuesto puede ser utilizado para simular la generación de la ruta de percolación en una capa dieléctrica, y está en acuerdo con la vida medida debido a TDDB a diferentes temperaturas. Por lo tanto, el modelo propuesto puede ser utilizado para predecir el tiempo de garantía o la detección de fallas iniciales, utilizando la prueba de vida acelerada con fines industriales.