En este trabajo, se depositó un aislante de puerta poli (4-vinilfenol) (PVP) de un transistor de efecto de campo orgánico (OFET) utilizando una técnica de impresión por chorro de tinta, realizada a través de una alta resolución de impresión. Se investigaron varios parámetros, incluyendo el peso molecular del PVP, la dirección de impresión, el voltaje de impresión y la frecuencia de caída, para optimizar el rendimiento del OFET. En consecuencia, el PVP con un peso molecular más pequeño de 11 k y una dirección de impresión paralela al canal, un voltaje de impresión de 18 V y una frecuencia de caída de 10 kHz mostraron el mejor rendimiento del OFET. Con un semiconductor orgánico impreso por escritura directa de tinta, este trabajo allana el camino para OFETs completamente impresos por chorro de tinta.