En la electrificación del transporte, los módulos de potencia son considerados la mejor opción para los interruptores de potencia para construir un inversor de alta potencia. Recientemente, varios estudios han presentado prototipos que utilizan MOSFET discretos en paralelo y muestran capacidades de salida globales similares. Este documento tiene como objetivo comparar la potencia de salida máxima y las pérdidas de inversores con diferentes tipos (montaje en superficie, montaje a través de orificio y módulos de potencia) de dispositivos de conmutación disponibles comercialmente, y, por lo tanto, discutir los límites teóricos de cada tecnología. El análisis numérico se basa en modelos detallados de pérdidas de potencia y térmicos, con ajustes realizados para la corriente de la compuerta y los parámetros realistas del sistema de enfriamiento. El análisis incluye dos estudios de caso con diferentes objetivos, incluidas las características dimensionales mínimas y la potencia de salida máxima. Los resultados demuestran que los MOSFET discretos pueden proporcionar capacidades mejoradas en contraste con los módulos de potencia bajo ciertas condiciones.