Este documento presenta un método de diagnóstico para pulsos de THz producidos por EA-FEL. Los resultados experimentales presentan una comparación entre cristales de ZnTe y GaAs para la detección de un solo pulso terahertz utilizando muestreo electro-óptico. Con el fin de igualar un detector electro-óptico para la radiación de EA-FEL, el pulso de THz de una fuente fue detectado simultáneamente por detectores electro-ópticos de ZnTe y GaAs. Se encontró que el sistema de detección de GaAs tenía un tiempo de respuesta más corto pero una baja relación señal-ruido (SNR) en comparación con el sistema de ZnTe. El cristal de GaAs es adecuado para la detección de pulsos cortos de THz debido al acoplamiento por fibra, y la SNR del sistema de GaAs se puede mejorar utilizando un fotodetector más rápido y sensible.