En este documento, se logró la potenciación a largo plazo (LTP) y la depresión a largo plazo (LTD) gradual y simétrica aplicando la condición óptima de pulso eléctrico de la memoria de cambio de fase interfacial (iPCM) basada en una superred (SL) fabricada apilando GeTe/SbTe alternativamente para implementar una sinapsis artificial en computación neuromórfica. Además, se fabricó una memoria de acceso aleatorio de cambio de fase convencional (PCRAM) basada en una aleación Ge-Sb-Te (GST) con un tamaño de contacto de electrodo inferior idéntico para comparar las características eléctricas. Los resultados mostraron una reducción en el consumo de energía de reseteo de la iPCM GeTe/SbTe (GT/ST) en más del 69% de la aleación GST para cada tamaño de contacto de electrodo inferior. Además, la iPCM GT/ST logró una sintonización gradual de conductancia y una simetría del 90,6% entre LTP y LTD con un esquema de pulso relativamente simple. Con base en los resultados anteriores, se espera que la iPCM GT/ST sea explotable como un dispositivo sináptico utilizado para computación inspirada en el cerebro y para ser utilizada en memorias no volátiles de próxima generación.