Primera demostración de limitador de alta potencia de banda L con diodos de barrera Schottky de GaN basados en tecnología de meseta empinada
Autores: Sun, Yue; Kang, Xuanwu; Deng, Shixiong; Zheng, Yingkui; Wei, Ke; Xu, Linwang; Wu, Hao; Liu, Xinyu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Primera demostración de limitador de alta potencia de banda L con diodos de barrera Schottky de GaN basados en tecnología de meseta empinada
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
Aplicaciones de microondas de alta potencia
Diodo de barrera Schottky
Resistencia específica de encendido
Limitador de potencia de microondas
Pérdida de inserción
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 41
Citaciones: Sin citaciones
El nitruro de galio (GaN) ha atraído una mayor atención debido a sus superiores propiedades materiales, como la alta velocidad de saturación de electrones y la alta resistencia eléctrica, que son prometedoras para aplicaciones de microondas de alta potencia.
Descripción
El nitruro de galio (GaN) ha atraído una mayor atención debido a sus superiores propiedades materiales, como la alta velocidad de saturación de electrones y la alta resistencia eléctrica, que son prometedoras para aplicaciones de microondas de alta potencia.