Degradación inducida por irradiación de electrones de las características de transferencia en VDMOSFET de superunión
Autores: Jiang, Jing; Wang, Shaogang; Liu, Xu; Liu, Jianhui; Li, Jun; Zhou, Dexiang; Zhang, Guoqi; Ye, Huaiyu; Tan, Chunjian
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Degradación inducida por irradiación de electrones de las características de transferencia en VDMOSFET de superunión
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Campo eléctrico
Nivel de recuperación
Voltaje de compuerta
Duración
Voltaje umbral
Temperatura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 46
Citaciones: Sin citaciones
El estrés de alto campo eléctrico es una solución efectiva para la recuperación de dispositivos irradiados.
Descripción
El estrés de alto campo eléctrico es una solución efectiva para la recuperación de dispositivos irradiados.