Mecanismo de degradación de la tasa en el transistor bipolar autoalineado de doble polisilicio irradiado
Autores: Liu, Mohan; Lu, Wu; Yu, Xin; Wang, Xin; Li, Xiaolong; Yao, Shuai; Guo, Qi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Mecanismo de degradación de la tasa en el transistor bipolar autoalineado de doble polisilicio irradiado
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Sensibilidad a la tasa de dosis baja
Tecnología DPSA
Tasa de degradación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 30
Citaciones: Sin citaciones
El efecto de sensibilidad a la tasa de dosis baja mejorada latente (ELDRS) se observa en el transistor bipolar de unión (BJT) PNP de tecnología de doble polisilicio autoalineado (DPSA) irradiado con rayos gamma de alta y baja tasa de dosis, lo que se discute desde la perspectiva de la tasa de degradación de tres etapas de la corriente base excesiva.
Descripción
El efecto de sensibilidad a la tasa de dosis baja mejorada latente (ELDRS) se observa en el transistor bipolar de unión (BJT) PNP de tecnología de doble polisilicio autoalineado (DPSA) irradiado con rayos gamma de alta y baja tasa de dosis, lo que se discute desde la perspectiva de la tasa de degradación de tres etapas de la corriente base excesiva.