En este documento, se propone una técnica de degeneración selectiva de frecuencia utilizando una red paralela con un resistor y un capacitor para un circuito integrado de amplificador de potencia de banda ancha de transistor de alta movilidad de electrones pseudomórfico de GaAs (pHEMT) de 6-18 GHz. La red de degeneración propuesta se aplica a la fuente del transistor para aplanar la respuesta de frecuencia del transistor en conjunto con circuitos de realimentación y polarización de resistor. Se logró una respuesta de frecuencia casi uniforme en la amplia banda de frecuencia mediante la optimización de los valores del capacitor y el resistor para el circuito de degeneración. Se adoptaron redes de adaptación de una sola sección para tamaños pequeños de chip para el amplificador de dos etapas siguiendo las características de frecuencia plana del transistor degenerado. El PAIC de banda ancha propuesto para la banda de 6 a 18 GHz se fabricó utilizando un proceso de pHEMT de GaAs de 0.15 m y tenía un tamaño de chip de 1.03 x 0.87 mm. El PAIC mostró una ganancia de 15 dB a 17.2 dB, una potencia de salida de 20.5 dBm a 22.1 dBm y una potencia de salida lineal de 11.9 dBm a 13.45 dBm, lo que satisface el IMD3 de dBc en la banda de 6-18 GHz. Se logró una planitud para la ganancia y la potencia de salida de +/-1.1 dB y +/-0.8 dB, respectivamente.