Las capas de SiGe epitaxialmente dopadas in situ se cultivaron selectivamente en obleas de Ge a granel y Si a granel con patrones. Se demostraron capas de SiGe con una rugosidad de superficie de menos de 3 nm. Las capas de pSiGe cultivadas selectivamente exhibieron una resistividad de 3.5 mOhmcm a una concentración de dopantes de 2.5 x 10 átomos de boro/cm. Se fabricaron diodos p/n mediante el crecimiento selectivo de p-SiGe en obleas de Ge a granel dopadas con n y Si dopadas con n, respectivamente. La contribución de la corriente de fuga geométrica se desplaza desde el perímetro hacia el volumen a medida que aumentan los tamaños de los diodos. Las energías de activación extraídas cerca de la mitad de la brecha son similares a las uniones p/n de Ge formadas por implantación de iones. Esto indica que la corriente de fuga inversa en los diodos p/n de Ge fabricados con varios métodos de dopaje podría originarse a partir del mismo mecanismo asistido por trampas. Los diodos p/n operativos en sustratos de Ge a granel mostraron una densidad de corriente inversa tan baja como 2.2·10 A/cm, que se encontró que era comparable a otros datos de la literatura. Las capas desarrolladas en este trabajo pueden ser utilizadas como un método alternativo para formar uniones p/n en sustratos de Ge, mostrando resultados de fuga de unión comparables a los enfoques de implantación de iones.