Crecimiento de capa atómica de semiconductores en capas de InSe y SbSe y su heteroestructura
Autores: Browning, Robert; Kuperman, Neal; Moon, Bill; Solanki, Raj
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2017
Acceso abierto
Artículo científico
2017
Crecimiento de capa atómica de semiconductores en capas de InSe y SbSe y su heteroestructura
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Metal chalcogenides
Dispositivos eléctricos
ópticos
Deposición de capas atómicas
Difracción de rayos X
Heteroestructuras
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
Los calcogeniuros metálicos basados en la estructura C-M-M-C (C = calcógeno, M = metal) poseen varias propiedades atractivas que pueden ser utilizadas en dispositivos eléctricos y ópticos.
Descripción
Los calcogeniuros metálicos basados en la estructura C-M-M-C (C = calcógeno, M = metal) poseen varias propiedades atractivas que pueden ser utilizadas en dispositivos eléctricos y ópticos.