Este documento revela la relación entre el voltaje de meseta de Miller y las corrientes de desplazamiento a través de la capacitancia puerta-drenaje () y la capacitancia drenaje-fuente () en el proceso de conmutación de un transistor de potencia. El voltaje de meseta de Miller corregido de encendido y el voltaje de meseta de Miller de apagado son diferentes incluso con una carga de corriente constante. Mediante la nueva meseta de Miller propuesta, las secuencias de encendido y apagado pueden ser analizadas de manera más precisa, y la pérdida de potencia de conmutación puede ser predicha con mayor precisión en consecuencia. También se han propuesto modelos de pérdida de conmutación basados en la nueva meseta de Miller. El resultado de la prueba experimental del MOSFET de potencia (NCE2030K) verificó la relación entre el voltaje de meseta de Miller y las corrientes de desplazamiento a través de y . Un banco de pruebas de verificación cuidadosamente diseñado con un MOSFET de potencia escrito en Verilog-A demostró la precisión de la predicción de la forma de onda de conmutación y la pérdida de conmutación con la nueva meseta de Miller propuesta. El error relativo promedio del modelo de pérdida utilizando la nueva meseta se reduce a 1/21/4 del error relativo promedio del modelo de pérdida utilizando la antigua meseta; el modelo de pérdida propuesto utilizando la nueva meseta, que también tiene en cuenta la variación de la corriente de la compuerta, reduce aún más el error a alrededor del 5%.