Corrección de errores para memorias flash NAND TLC y QLC mediante codificación a nivel de celda
Autores: Nicolas Bailon, Daniel; Thiers, Johann-Philipp; Freudenberger, Jürgen
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Corrección de errores para memorias flash NAND TLC y QLC mediante codificación a nivel de celda
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Celda de triple nivel
Celda de cuádruple nivel
Codificación de corrección de errores
Decodificación de entrada suave
Memoria flash
Rendimiento de corrección de errores
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 24
Citaciones: Sin citaciones
Las crecientes tasas de error de las memorias flash NAND de celda triple (TLC) y celda cuádruple (QLC) han llevado a la aplicación de codificación de corrección de errores con técnicas de decodificación de entrada suave en sistemas de almacenamiento basados en flash.
Descripción
Las crecientes tasas de error de las memorias flash NAND de celda triple (TLC) y celda cuádruple (QLC) han llevado a la aplicación de codificación de corrección de errores con técnicas de decodificación de entrada suave en sistemas de almacenamiento basados en flash.