Entendiendo y controlando la alineación de bandas en la interfaz metal/germanio para futuros dispositivos eléctricos
Autores: Nishimura, Tomonori
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Entendiendo y controlando la alineación de bandas en la interfaz metal/germanio para futuros dispositivos eléctricos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Germanio
Semiconductor
Transistor de efecto de campo
Pila de compuerta
Altura de barrera schottky
Anclaje del nivel de fermi
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 38
Citaciones: Sin citaciones
El germanio (Ge) es un semiconductor prometedor como material de canal alternativo para mejorar el rendimiento en dispositivos de transistores de efecto de campo (FET) de silicio escalado (Si).
Descripción
El germanio (Ge) es un semiconductor prometedor como material de canal alternativo para mejorar el rendimiento en dispositivos de transistores de efecto de campo (FET) de silicio escalado (Si).