Para determinar la temperatura de unión de dispositivos semiconductores que operan en diferentes condiciones de suministro de energía y enfriamiento, se necesitan sus parámetros térmicos. Este artículo describe un montaje de medición original que permite la determinación de los parámetros térmicos de dispositivos semiconductores de potencia. A diferencia de otros montajes descritos en la literatura, este montaje permite medir parámetros térmicos que caracterizan la eficiencia de la eliminación generada debido a un fenómeno de autocalentamiento, así como los parámetros que caracterizan los acoplamientos térmicos mutuos. El montaje presentado utiliza un método eléctrico indirecto para determinar la temperatura de unión de diodos, transistores bipolares y unipolares y IGBT. Se describen los métodos utilizados para medir las impedancias térmicas transitorias propias y de transferencia de estos dispositivos y la construcción del montaje. Se analiza la influencia de factores seleccionados en la precisión de las mediciones. Se presentan ejemplos de los resultados de la medición de parámetros térmicos (impedancias térmicas transitorias propias y de transferencia) de dispositivos semiconductores de potencia que operan en diferentes condiciones de enfriamiento. Se discuten los resultados de la investigación obtenidos.