Los materiales electroactivos quirales han atraído la atención por los efectos de la anisotropía magnetoquiral eléctrica (eMChA) y la selectividad de espín inducida por quiralidad (CISS). La combinación de tetratiafulvaleno (TTF) con grupos quirales es una forma de acceder a materiales electroactivos quirales. En este artículo, nos hemos centrado en el anillo fusionado de 2,3-dimetilciclohexeno (DMCh) como un sustituyente con átomos de carbono quirales y sin heteroátomos, que no se ha utilizado en el campo de los conductores moleculares, y hemos sintetizado un nuevo derivado de TTF (-DMCh-EDT-TTF). Hemos desarrollado nuevos conductores moleculares (-DMCh-EDT-TTF)X (X = PF, AsF y ClO), que tienen capas conductoras en bilayer compuestas por las dos moléculas cristalográficamente independientes. Todas las sales exhibieron un comportamiento semiconductor desde la temperatura ambiente hasta bajas temperaturas, y se observó una anomalía de resistividad entre 180 y 250 K. El análisis de la estructura por rayos X a 100 K y 263 K y los cálculos de orbitales moleculares utilizando los resultados del análisis de la estructura por rayos X indicaron la aparición de una desproporción de carga entre las Capas 1 y 2 en la fase de baja temperatura.