Compresión de potencia y análisis de fase de GaN HEMT para protección del receptor de microondas
Autores: Song, Wenhan; Guo, Haowen; Gu, Yitian; Zhou, Junmin; Sui, Jin; Chen, Baile; Huang, Wei; Zou, Xinbo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Compresión de potencia y análisis de fase de GaN HEMT para protección del receptor de microondas
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Protector de receptor de microondas
Nitruro de galio
Transistor de alta movilidad electrónica
Compresión de potencia
Nivel de potencia umbral
Variación de frecuencia
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 38
Citaciones: Sin citaciones
Este documento informa sobre un protector receptor de microondas de alto rendimiento (RP) basado en un solo transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio (GaN HEMT) en una frecuencia de operación de 30 a 3000 MHz.
Descripción
Este documento informa sobre un protector receptor de microondas de alto rendimiento (RP) basado en un solo transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio (GaN HEMT) en una frecuencia de operación de 30 a 3000 MHz.