La relación competitiva entre el flashover de la superficie de los electrodos coplanares y el canal de corriente del cuerpo fue investigada. El comportamiento de ruptura del interruptor semiconductor fotoconductor de GaAs (PCSS) con una estructura de electrodo coplanar que recibe luz en la parte trasera fue estudiado en este artículo. El GaAs PCSS fue activado por el pulso láser con una longitud de onda de absorción extrínseca de 1064 nm. Se diseñó una construcción aislante especial para el GaAs PCSS, mientras que la superficie de los electrodos fue encapsulada con un adhesivo aislante transparente. Nuestro primer conjunto de experimentos se realizó con un voltaje de polarización de 8 kV, y se observó la ruptura por flashover de la superficie del GaAs PCSS con un pulso láser de activación de 10 Hz. En el segundo experimento, con un voltaje de polarización de 6 kV, la ruptura del canal de corriente del cuerpo apareció en la parte trasera del GaAs PCSS. En comparación con estos resultados, se confirmó la existencia de una relación competitiva entre la ruptura por flashover de la superficie y la ruptura del canal de corriente del cuerpo del GaAs PCSS. Cuando el voltaje de polarización se establece dentro de un cierto rango (alcanzando el modo de avalancha), el GaAs PCSS con una estructura de electrodo coplanar que recibe luz en la parte trasera experimentará la ruptura del canal de corriente del cuerpo. Este hallazgo también es consistente con los resultados de la simulación.