Método de compensación de capacitancia no lineal para integrar un varactor de metal-semiconductor-metal con un amplificador de potencia de transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio
Autores: Li, Ke; Gu, Yitian; Guo, Haowen; Zou, Xinbo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Método de compensación de capacitancia no lineal para integrar un varactor de metal-semiconductor-metal con un amplificador de potencia de transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Capacidad no lineal
Técnica de compensación
Amplificador de potencia
Proceso GaN
Mejora de linealidad
Distorsión de intermodulación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
Se presenta en este documento una técnica de compensación de capacitancia no lineal para mejorar la linealidad de un amplificador de potencia (PA) en el proceso de GaN. El método implica colocar un dispositivo varactor MSM junto al dispositivo GaN HEMT, que funciona como la unidad de amplificación de manera que la capacitancia general observada en la entrada del amplificador sea constante, mejorando así la linealidad. Este enfoque es una forma fiable y directa de mejorar la linealidad del PA en el proceso de GaN.
Descripción
Se presenta en este documento una técnica de compensación de capacitancia no lineal para mejorar la linealidad de un amplificador de potencia (PA) en el proceso de GaN. El método implica colocar un dispositivo varactor MSM junto al dispositivo GaN HEMT, que funciona como la unidad de amplificación de manera que la capacitancia general observada en la entrada del amplificador sea constante, mejorando así la linealidad. Este enfoque es una forma fiable y directa de mejorar la linealidad del PA en el proceso de GaN.