El rendimiento de imagen de un detector de imagen de radiación semiconductor depende críticamente del grosor de su capa de fotoconductor. La estructura convencional del detector (es decir, una capa de fotoconductor está intercalada entre dos electrodos paralelos) necesita un criterio de diseño estricto sobre el grosor del fotoconductor en comparación con la estructura del detector plegado para optimizar la eficiencia cuántica del detector (DQE), que es el rendimiento de imagen más importante. En este artículo, se analiza el rendimiento de DQE de ambas estructuras de detector plegado y convencional mediante la incorporación del ruido cuántico debido a la captura aleatoria de portadores de carga en la capa de fotoconductor en el modelo del sistema lineal en cascada. También se desarrolla una expresión analítica para la varianza de la colección de carga incompleta en la estructura plegada. Se investigan los valores óptimos del grosor de la capa de fotoconductor y el espaciado entre electrodos para maximizar el DQE bajo varias combinaciones de parámetros de exposición, ruido electrónico y transporte de portadores de carga. La estructura plegada proporciona una flexibilidad de diseño para lograr un DQE superior a 0.7 ajustando la distancia entre electrodos sin comprometer la eficiencia cuántica, mientras que el DQE máximo posible en la estructura convencional puede ser incluso inferior a 0.3 para ciertos valores de material y parámetros del detector.