Sensibilidad a la temperatura de dos dispositivos HEMT de microondas: heteroestructuras AlGaAs/GaAs vs. AlGaN/GaN
Autores: Alim, Mohammad Abdul; Chowdhury, Abu Zahed; Islam, Shariful; Gaquiere, Christophe; Crupi, Giovanni
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Sensibilidad a la temperatura de dos dispositivos HEMT de microondas: heteroestructuras AlGaAs/GaAs vs. AlGaN/GaN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Impacto térmico
Rendimiento de microondas
Transistores de alta movilidad electrónica
Tecnologías de GaAs
GaN
Temperatura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 57
Citaciones: Sin citaciones
El objetivo de este documento es proporcionar un análisis comparativo del impacto térmico en el rendimiento de microondas de transistores de alta movilidad electrónica (HEMTs) basados en tecnologías de GaAs y GaN.
Descripción
El objetivo de este documento es proporcionar un análisis comparativo del impacto térmico en el rendimiento de microondas de transistores de alta movilidad electrónica (HEMTs) basados en tecnologías de GaAs y GaN.