Los módulos fotovoltaicos bifaciales (PV) tienen la ventaja de utilizar la luz reflejada del suelo para contribuir a la producción de energía. Predecir la ganancia de energía es un desafío y requiere modelos complejos para hacerlo con precisión. A menudo, la degradación del módulo a lo largo del tiempo se ignora en los modelos por simplicidad o se subestima. Comparar el rendimiento de corriente-tensión (I-V) al aire libre y en interiores para módulos bifaciales es más complicado que para módulos monofaciales, ya que hay variables adicionales a considerar, como la no uniformidad del albedo trasero, el desajuste de celdas y sus efectos sobre la temperatura. Este desafío se agrava cuando ocurren modos de degradación heterogéneos, como la degradación inducida por potencial de tipo polarización (PID-p). Para examinar los efectos del PID-p en las predicciones de I-V utilizando un enfoque empírico basado en datos, se instalan 16 módulos bifaciales PERC al aire libre en estantes con diferentes condiciones de albedo. Un subconjunto se expone a sesgos de alto voltaje de -1500 V o +1500 V. Los datos al aire libre se registran en rangos de irradiancia de 150-250 W/m, 500-600 W/m y 900-1000 W/m. Estas curvas se corrigen utilizando la temperatura del módulo de control, la resistividad del cable y la resistencia del módulo medida en interiores. Examinamos varios métodos para transformar las curvas I-V en interiores para aproximar de manera precisa y más simple que los métodos existentes, el rendimiento al aire libre de los módulos bifaciales sin y con diferentes niveles de degradación PID-p. De esta manera, la modelización del rendimiento bifacial puede ser más accesible e informada por módulos degradados en campo. Se utilizan distribuciones de errores porcentuales entre los parámetros de rendimiento en interiores y exteriores y Errores Porcentuales Absolutos Medios (MAPEs) para evaluar la calidad del método. Se discuten los resultados que incluyen datos de baja irradiancia (150-250 W/m), pero se filtran para cuantificar la calidad del método, ya que estos datos introducen errores sustanciales. El método con el mejor compromiso entre bajo MAPE y simplicidad de análisis implica medir el lado frontal de un módulo en interiores a una irradiancia igual a la irradiancia del plano del arreglo más el producto de la bifacialidad del módulo y la irradiancia del albedo. Este método da valores de MAPE de 1-6.5% para el rendimiento de módulos no degradados y de 1.6-5.9% para el rendimiento de módulos degradados por PID-p.