Este documento revisa enfoques de última generación para convertidores DC-DC aislados galvánicamente basados en el acoplamiento de micro-transformadores de radiofrecuencia (RF). Se analizan la tecnología de aislamiento, el nivel de integración y los problemas de fabricación para resaltar los pros y los contras de las implementaciones completamente integradas (es decir, dos chips) y de sistemas en paquete de múltiples chips (SiP). Específicamente, se comparan dos tecnologías básicas de aislamiento diferentes, que explotan transformadores integrados de óxido grueso y transformadores independientes de poliimida, respectivamente. Con este fin, se comparan los resultados previamente disponibles logrados en una tecnología de aislamiento completamente integrada (es decir, transformador integrado de óxido grueso) con el rendimiento experimental de un convertidor DC-DC para aplicaciones de controlador de compuerta de 20 V, diseñado e implementado específicamente aprovechando un transformador de poliimida independiente. La comparación destaca que un rendimiento similar en términos de eficiencia energética se puede lograr a niveles de potencia de salida más bajos (es decir, alrededor de 200 mW), mientras que el enfoque completamente integrado es más efectivo a niveles de potencia más altos con una mejor densidad de potencia. Por otro lado, el enfoque del transformador de poliimida independiente permite una mayor flexibilidad tecnológica para la circuitería activa, siendo menos costoso y adecuado para el aislamiento reforzado.