Los efectos de TID ocurren en transistores MOS-gated en entornos de radiación donde los protones y los rayos gamma irradian los dispositivos. Los efectos de TID afectan seriamente las características eléctricas del Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET). Eventualmente pueden resultar en el mal funcionamiento de los sistemas de energía cuando se exponen a condiciones de radiación a largo plazo. Irradiamos rayos gamma y protones en MOSFETs de SiC de 1.2 kV y evaluamos el cambio en las propiedades eléctricas para analizar los efectos de TID. Como resultado del experimento, la tensión umbral (V) y la resistencia de encendido (R) de los MOSFETs de SiC de 1.2 kV disminuyeron debido a que las cargas fijas positivas dentro del óxido aumentaron dependiendo de la dosis de radiación de los rayos gamma y la fluencia de las irradiaciones de protones. La degradación de la tensión de ruptura (BV) ocurrió debido a un cambio en la curvatura de agotamiento en el borde de las regiones de terminación debido a la captura de la carga en el óxido del campo.