Este documento compara críticamente el rendimiento de apagado de dos soluciones de paquete, 3-lead (3L) vs. 4-lead (4L), en MOSFETs de SuperJunction. Comúnmente se asume que el mejor rendimiento (menores pérdidas de conmutación) del MOSFET 4L se obtiene gracias al desacoplamiento de los bucles de potencia y de conducción. Por el contrario, en este trabajo, los resultados experimentales, los modelos de circuitos y las leyes de Kirchhoff muestran que la mejora en el apagado (menores pérdidas de apagado) obtenida al adoptar la fuente Kelvin se debe a la menor inductancia del bucle de conducción del MOSFET 4L, en lugar del desacoplamiento entre los bucles de conducción y de potencia. En detalle, se agrega un inductor al camino de la compuerta del MOSFET 4L para obtener una inductancia total en el bucle de conducción igual a la del 3L. Los resultados experimentales muestran que el MOSFET 4L presenta la misma tasa de variación de corriente de drenaje bajo esta condición, aunque los bucles de conducción y de potencia siguen estando desacoplados.