Comparación de diodos PiN y JBS de SiC de 6.5 kV en topologías de interruptores híbridos y de SiC completo
Autores: Spejo, Lucas Barroso; Knoll, Lars; Minamisawa, Renato Amaral
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Comparación de diodos PiN y JBS de SiC de 6.5 kV en topologías de interruptores híbridos y de SiC completo
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Investiga
Rendimiento
Diodos SiC
Topologías
Pérdidas de conmutación
Confiabilidad
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
Este trabajo investiga el rendimiento de los diodos de Silicon Carbide (SiC) PiN y Junction Barrier Schottky (JBS) de 6.5 kV de última generación no comerciales en topologías híbridas (IGBT de Si con diodo de SiC) y de SiC completo (MOSFET de SiC con diodo de SiC).
Descripción
Este trabajo investiga el rendimiento de los diodos de Silicon Carbide (SiC) PiN y Junction Barrier Schottky (JBS) de 6.5 kV de última generación no comerciales en topologías híbridas (IGBT de Si con diodo de SiC) y de SiC completo (MOSFET de SiC con diodo de SiC).