Rendimiento de referencia de circuitos digitales TFET y FinFET desde una perspectiva basada en síntesis
Autores: Rendón, Mateo; Cao, Christian; Landázuri, Kevin; Garzón, Esteban; Prócel, Luis Miguel; Taco, Ramiro
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Rendimiento de referencia de circuitos digitales TFET y FinFET desde una perspectiva basada en síntesis
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Miniaturización
Dispositivos portátiles
FinFET
Tunnel-FET
Rendimiento
Eficiencia energética
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
La miniaturización y los dispositivos portátiles han transformado el panorama de los dispositivos electrónicos, enfatizando la importancia del alto rendimiento manteniendo la eficiencia energética para garantizar una larga vida útil de la batería. Las tecnologías FinFET y Tunnel-FET han surgido como alternativas atractivas para superar las limitaciones de la escala de voltaje de suministro para aplicaciones de ultra bajo consumo de energía.
Descripción
La miniaturización y los dispositivos portátiles han transformado el panorama de los dispositivos electrónicos, enfatizando la importancia del alto rendimiento manteniendo la eficiencia energética para garantizar una larga vida útil de la batería. Las tecnologías FinFET y Tunnel-FET han surgido como alternativas atractivas para superar las limitaciones de la escala de voltaje de suministro para aplicaciones de ultra bajo consumo de energía.