En este documento, demostramos la fabricación de transistores de electrones verticales de apertura de corriente (CAVET) realizados con dos métodos diferentes de crecimiento epitaxial. Las plantillas con una capa de bloqueo de corriente de GaN p (CBL) fueron depositadas por deposición química de vapor de metal orgánico (MOCVD). Las capas de canal y barrera fueron luego regeneradas ya sea por epitaxia de haz molecular (MBE) o MOCVD. Se utilizan imágenes de microscopía electrónica de barrido (SEM) y perfiles de altura de microscopio de fuerza atómica (AFM) para identificar los diferentes mecanismos de regeneración. Mostramos que una capa intermedia de AlN debajo de la capa de canal pudo reducir la difusión de Mg durante el proceso de regeneración MOCVD a alta temperatura. Para la regeneración MBE a baja temperatura, la difusión de Mg fue suprimida con éxito. Se realizaron CAVET en las diversas muestras. Los dispositivos sufren de altas corrientes de fuga, por lo tanto, se necesita una mayor optimización de la regeneración.