Comparación de los efectos de la irradiación gamma en las características de cortocircuito de los dispositivos de potencia SiC MOSFET entre estructuras planas y en trinchera
Autores: Shu, Lei; Liao, Huai-Lin; Wu, Zi-Yuan; Li, Yan-Yan; Fang, Xing-Yu; Liang, Shi-Wei; Li, Tong-De; Wang, Liang; Wang, Jun; Zhao, Yuan-Fu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Comparación de los efectos de la irradiación gamma en las características de cortocircuito de los dispositivos de potencia SiC MOSFET entre estructuras planas y en trinchera
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Energía de resistencia a cortocircuito
Tiempo de resistencia a cortocircuito
Planar
Trinchera
Carburo de silicio
MOSFET
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 21
Citaciones: Sin citaciones
Las variaciones de la resistencia a la energía de cortocircuito (SCWE) y las variaciones de la resistencia al tiempo de cortocircuito (SCWT) de los dispositivos de potencia de transistores de efecto de campo de óxido metálico de carburo de silicio (SiC) planares y de trinchera se estudian después de la exposición a una dosis total de ionización (TID). Se exploran los resultados para el sesgo ON. El SCWE y el SCWT se estudian para dispositivos de potencia de transistores de efecto de campo de óxido metálico de carburo de silicio (SiC) planares y de trinchera probados para TID con irradiación gamma. Se observa un fenómeno de degradación mayor para el SCWE y el SCWT en el MOSFET de SiC planar. Los mecanismos físicos de estas variaciones se analizan y se confirman mediante simulación de diseño asistido por computadora (TCAD) tecnológica.
Descripción
Las variaciones de la resistencia a la energía de cortocircuito (SCWE) y las variaciones de la resistencia al tiempo de cortocircuito (SCWT) de los dispositivos de potencia de transistores de efecto de campo de óxido metálico de carburo de silicio (SiC) planares y de trinchera se estudian después de la exposición a una dosis total de ionización (TID). Se exploran los resultados para el sesgo ON. El SCWE y el SCWT se estudian para dispositivos de potencia de transistores de efecto de campo de óxido metálico de carburo de silicio (SiC) planares y de trinchera probados para TID con irradiación gamma. Se observa un fenómeno de degradación mayor para el SCWE y el SCWT en el MOSFET de SiC planar. Los mecanismos físicos de estas variaciones se analizan y se confirman mediante simulación de diseño asistido por computadora (TCAD) tecnológica.