Entre la plétora de semiconductores orgánicos solubles y de fácil procesamiento, el 6,13-Bis(triisopropilsililetilino)pentaceno (TIPS-P5) es uno de los materiales más prometedores para la electrónica flexible de próxima generación. Sin embargo, según la información reportada en la literatura, es difícil explotar en transistores de efecto de campo las características de alto rendimiento de este material. Este artículo correlaciona la funcionalización de HMDS del sustrato de silicio con las características eléctricas de transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs) de puerta inferior basados en TIPS-P5 y transistores orgánicos de efecto de campo con puerta de electrolito (EGOFETs) fabricados sobre la misma plataforma. Se fabricaron transistores TIPS-P5 con una arquitectura de doble puerta mediante un simple vertido en sustratos de Si/SiO, y los sustratos fueron funcionalizados con hexametildisilazano (HMDS) o dejados sin tratar. Los mismos dispositivos fueron caracterizados tanto como transistores estándar de puerta inferior como transistores de puerta de electrolito (de puerta superior), y se compararon los resultados con y sin tratamiento de HMDS. Se muestra que la funcionalización del sustrato de silicio influye negativamente en el rendimiento de los EGOFETs, mientras que es beneficiosa para los OFETs de puerta inferior. Diferentes arquitecturas de dispositivos (por ejemplo, puerta inferior frente a puerta superior) requieren una evaluación específica de los protocolos de fabricación comenzando desde el efecto de la funcionalización de HMDS para maximizar las características eléctricas de los dispositivos basados en TIPS-P5.