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Un circuito de memoria CCDM-TSPC resistente a la radiación se compara con siete flip-flops RHBD bien conocidos en el proceso CMOS de 180 nm

Autores: Wang, Shixin; Wang, Lixin; Wang, Yue; Guo, Min; Li, Yuanzhe

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2022

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Acceso abierto

Artículo científico
2022

Un circuito de memoria CCDM-TSPC resistente a la radiación se compara con siete flip-flops RHBD bien conocidos en el proceso CMOS de 180 nm


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Radiación
Inmunidad
Rendimiento
Flip-flop
Inmune
Simulación

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 34

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Numerosos flip-flops diseñados para resistir radiación (RHBD) han sido desarrollados para aumentar la confiabilidad de los chips digitales para aplicaciones espaciales en las últimas dos décadas. En este documento, se discute la inmunidad a la radiación y el rendimiento de siete flip-flops RHBD bien conocidos. Se propone un nuevo flip-flop D verdadero de reloj de fase única modular redundante doble conectado en cruz (CCDM-TSPC). El CCDM-TSPC presentado reemplaza el típico flip-flop D maestro-esclavo (MS-DFF) con la estructura fundamental TSPC para acortar el tiempo de propagación del circuito. Todos los puntos sensibles en el circuito son endurecidos a la radiación mediante el uso de medios de conexión cruzada. Los resultados de simulación de la herramienta SPECTRE muestran que el CCDM-TSPC es completamente inmune a los errores de evento único (SEUs). El CCDM-TSPC reduce el retardo C-Q en un 75% y el área de diseño en un 85% en comparación con el tradicional flip-flop D de redundancia modular triple (TMR-DFF).

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