En esta carta, se propone un filtro pasa banda (BPF) compacto de doble modo con una banda de rechazo ultra ancha que emplea dos resonadores de bucle abierto plegados (FOLRs) y resonadores cargados de tope (SLRs). Los resonadores de doble modo se optimizan cargando dos SLRs en los resonadores de bucle abierto plegados, y este proceso se analiza utilizando la teoría de doble modo. Para miniaturizar el tamaño del dispositivo y aumentar el rendimiento del chip, el BPF propuesto se fabrica mediante un proceso de fabricación de semiconductores compuestos III-V utilizando un sustrato de GaAs de alto rendimiento basado en el proceso de fabricación de dispositivos de pasivación de integración (IPD). Se diseña y fabrica un BPF compacto de doble modo con baja pérdida de inserción y alto retorno de pérdida. Dos ceros de transmisión adicionales (TZs) ubicados en el rango de alta frecuencia aumentan la banda de rechazo ancha, y los dos TZs cerca de la banda de paso resultan en una mayor selectividad. Se logra una frecuencia resonante centrada en 7.45 GHz con una pérdida de inserción de -1.21 dB y un retorno de pérdida medido superior a -23.53 dB y anchos de banda fraccionarios de 3 dB del 5.8%. La banda de rechazo puede ser suprimida hasta 20 GHz debido a los dos TZs ajustables resultando en una mayor selectividad y rechazo de banda ancha. El tamaño del filtro se optimizó drásticamente utilizando una arquitectura simplificada de dos FOLRs y SLRs.