Las propiedades eléctricas de los contactos óhmicos son investigadas clásicamente utilizando el método de longitud de transferencia (TLM). En la literatura, los patrones TLM son fabricados en diferentes configuraciones de sustrato, especialmente directamente en las obleas de SiC 4H. Sin embargo, debido al alto nivel de dopaje de los sustratos comerciales, la corriente no se confina cerca del contacto y, en este caso, el valor de la resistencia específica de contacto (SCR) se sobreestima. En este artículo, proponemos, mediante simulaciones, investigar la influencia de la capa bajo el contacto hacia la estimación del SCR. Los resultados de la simulación destacan que, para una determinación precisa de los valores de SCR, es obligatoria una capa de aislamiento entre el contacto y el sustrato de carburo de silicio. Por lo tanto, hemos determinado las características (nivel de dopaje y grosor) de una capa de aislamiento adecuada compatible con valores de SCR que van desde 10 a 10 ·cm.