En este documento, la estabilidad térmica del amplificador de potencia (PA) de transistor bipolar de heterounión de GaAs (HBT) en una banda sub-6G ha sido mejorada mediante un método de co-simulación de múltiples fuentes. Para reducir los errores de parámetros causados por las variaciones de resistencias térmicas, se propone un método de co-simulación para las múltiples fuentes de calor del PA totalmente integrado. Específicamente, se aplica un circuito de polarización ajustable en el PA para compensación de temperatura utilizando una corriente de cero a temperatura absoluta (ZTAT). Para verificar el método propuesto, se realiza un PA sub-6G en el proceso de HBT de GaAs. Los resultados experimentales muestran que las variaciones en la eficiencia de potencia añadida y la potencia de salida se estabilizan debido al error del 3.5% de la corriente ZTAT. Los errores entre la simulación y la medición se reducen del 6% al 1%. Según el factor térmico definido en la co-simulación, la temperatura de trabajo disminuye 10 grados Celsius, mientras que el área solo aumenta un 27%. Los resultados anteriores demuestran que la estabilidad térmica y la fiabilidad de la simulación pueden ser co-diseñadas con el mínimo costo de área.