Transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET) y memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM) basados en circuitos lógicos combinatorios ternarios
Autores: Zahoor, Furqan; Hussin, Fawnizu Azmadi; Khanday, Farooq Ahmad; Ahmad, Mohamad Radzi; Mohd Nawi, Illani; Ooi, Chia Yee; Rokhani, Fakhrul Zaman
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET) y memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM) basados en circuitos lógicos combinatorios ternarios
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Lógica de múltiples valores
Circuitos MVL
CNTFETs
RRAM
Circuitos lógicos combinatorios ternarios
Conteo de transistores
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 32
Citaciones: Sin citaciones
La capacidad de los circuitos lógicos de lógica de múltiples valores (MVL) para lograr una mayor densidad de almacenamiento en comparación con la de los circuitos binarios existentes es muy impresionante.
Descripción
La capacidad de los circuitos lógicos de lógica de múltiples valores (MVL) para lograr una mayor densidad de almacenamiento en comparación con la de los circuitos binarios existentes es muy impresionante.