Este trabajo presenta una investigación sobre el comportamiento de la temperatura de los transistores compuestos de auto-cascode (SCCTs). Los resultados respaldados por mediciones de silicio muestran que los SCCTs pueden utilizarse para generar un voltaje proporcional a la temperatura absoluta o incluso un voltaje compensado por temperatura. Basándose en los resultados obtenidos, también se presenta una nueva topología de circuito de referencia de voltaje sin resistencia que utiliza un diodo Schottky. El circuito se fabricó en un proceso BiCMOS de 130 nm y ocupó un área de silicio de 67.98 um x 161.7 um. El valor promedio del voltaje de salida es de 720.4 mV, y su rendimiento promedio de regulación de línea es de 2.3 mV/V, calculado a través de 26 muestras de chips caracterizados. El coeficiente de temperatura promedio (TC) obtenido a través de cinco muestras de chips es de 56 ppm/ degreesC en un rango de temperatura de -40 a 85 degreesC. También se incluye un circuito de ajuste en la topología del circuito para mitigar el impacto de los efectos del proceso de fabricación en su TC. El circuito opera con un rango de voltaje de suministro de 1.1 a 2.5 V.