Este documento presenta una cadena amplificadora-duplicadora de 220 GHz x 2 compuesta por un balun de carrera de ratón, un amplificador de driver de 6 etapas y un duplicador de frecuencia. La cadena amplificadora-duplicadora presentada fue fabricada en tecnología CMOS a granel de 40 nm comercial. La frecuencia de corte máxima f para el transistor NMOS producido por este proceso de fabricación fue de 290 GHz. La potencia de salida de saturación del amplificador de driver de seis etapas a 110 GHz fue de 11.5 dBm. El transistor del duplicador de frecuencia consistía en una estructura de equilibrio de contacto de Poli-Difusión entrelazada de una sola fila. Teóricamente, la estructura de equilibrio de contacto de Poli-Difusión entrelazada de una sola fila podía evitar efectivamente los componentes parásitos. Los resultados simulados demuestran que la estructura presentada logra una mayor potencia de salida que los diseños convencionales. Basándose en estos resultados medidos, la cadena amplificadora-duplicadora presentada proporciona una potencia de salida máxima de 7.9 dBm a 200 GHz y un ancho de banda de 3 dB de 30 GHz. Según la comparación con otros resultados informados, la cadena amplificadora-duplicadora presentada proporciona la mayor potencia de salida entre los duplicadores de frecuencia informados fabricados en tecnología CMOS.