Este documento presenta un circuito para detectar y proteger contra cortocircuitos en transistores de alta movilidad electrónica de nitruro de galio en modo E (GaN HEMTs) y analiza el rendimiento de protección del circuito. Los GaN HEMTs poseen características de conmutación rápida que permiten una alta eficiencia y densidad de potencia en dispositivos de conversión de energía. Sin embargo, estas características también plantean desafíos en la protección contra cortocircuitos y situaciones de sobrecorriente. El método propuesto detecta eventos de cortocircuito monitoreando una caída instantánea en el voltaje del bus DC de un circuito con GaN HEMTs aplicados y utiliza un filtro pasa banda para prevenir el mal funcionamiento del circuito de protección de cortocircuitos durante la conmutación normal y garantizar una operación altamente confiable. Utilizando este método, el tiempo de detección de cortocircuito de los GaN HEMTs en modo E puede reducirse a 257 ns, protegiendo con éxito el dispositivo sin malfunciones incluso en situaciones de cortocircuito severas que ocurran a altos voltajes de enlace DC.